Samsung a été plutôt conservateur sur la quantité de mémoire vive, alias la RAM, dans ses smartphones une fois qu’elle a atteint la barre des 4 Go en 2015. En fait, ce n’est que l’année dernière qu’elle a ajouté 6 Go de RAM à ses produits phares.
Et, elle devrait apporter une nouvelle mise à niveau substantielle. En outre, la puce serait déjà prête. Samsung vient de lancer la production en série de sa nouvelle mémoire LPDDR4X de 16 Gb/s gravée en 10 nm. Et étant donné le timing, elle pourrait très bien se retrouver dans le Galaxy Note 9.
Pour être clair, ce n’est pas la première RAM LPDDR4X de 16 Gb (Gigabit, pas Gigaoctet) de 10 nanomètres (1x-nm). En fait, la firme qualifie cette puce de silicium de 2e génération (1y-nm) et elle est fière d’être la première de l’industrie. Cependant, contrairement à la RAM LPDDR5 récemment révélée, celle-ci est prête à être utilisée dès que possible.
Quelle est la différence entre les deux générations ? Il faut admettre que cela pourrait être mineur quand on regarde les chiffres. La vitesse ne change pas, puisqu’il s’agit toujours de la version de la version 4X (LPDDR4X) Low Power Double Data Rate, littéralement « Vitesse de donnée double 4 basse consommation ». On retrouve donc une vitesse de 4 266 Mo/s. Toutefois, la réalisation de Samsung, selon elle, est la réduction de la consommation d’énergie de 10 %, tout en maintenant les mêmes vitesses de transfert de données.
Pas une révolution
Cependant, ce qui est plus intéressant c’est le développement par Samsung d’une barrette DRAM de 8 Go. Ceci combine quatre puces de ce type pour un débit total de 34,1 Go/s. Cependant, elle devrait être 20 % plus mince qu’une puce de première génération, ce qui lui permet de s’adapter à des châssis plus minces.
Cette mémoire LPDDR4X de 8 Go est prévue pour des « appareils mobiles phares de nouvelle génération ». Juste à temps pour le futur flagship de Samsung, le Galaxy Note 9 attendu le 9 août prochain. Cela dit, Samsung fabrique également des puces dans des configurations de 4 Go et 6 Go.
