Samsung a peut-être été le premier à lancer le processus de gravure en 3 nm avec sa technologie Gate-All-Around (GAA), mais les rendements de production de cette technologie ne semblent pas encore atteindre les niveaux attendus, selon une fuite récente en provenance de Corée.
Un rapport publié sur Naver indique que Samsung avait initialement fixé un objectif ambitieux de rendement à 70 % pour ses premières et deuxièmes générations de processus de 3 nm GAA. Cependant, cet objectif semble de plus en plus hors de portée.
La première version du processus, connue sous le nom de SF3E-3GAE, présente des rendements qui oscillent entre 50 % et 60 %, un résultat qui, bien que plus proche de la cible, reste insuffisant pour rendre cette technologie commercialement viable. Ce taux de rendement inférieur aux attentes semble expliquer en partie pourquoi Samsung a des difficultés à attirer de nouveaux clients pour sa technologie de 3 nm GAA. Par exemple, Qualcomm a décidé de produire son processeur Snapdragon 8 Elite exclusivement chez TSMC, en optant pour leur technologie en 3 nm N3E, réputée plus stable.
Le tableau est encore plus sombre pour la seconde génération du processus 3 nm de Samsung, baptisée SF3-3GAP. Le rapport révèle que son rendement atteindrait à peine 20 %, bien loin de l’objectif initial.
Ce manque de progrès pourrait encore affaiblir la confiance des clients dans la technologie 3 nm de Samsung et inciter même des entreprises sud-coréennes à se tourner vers TSMC, dont la technologie en 3 nm est considérée comme plus mature et fiable.
Un repositionnement vers le 2 nm pour Samsung ?
Les difficultés rencontrées avec le 3 nm GAA semblent inciter Samsung à rediriger ses ressources et ses talents vers son prochain processus en 2 nm. D’après des rumeurs, un nouveau chipset Exynos, portant le nom de code Ulysses, serait en cours de développement avec la technologie 2 nm SF2P. Ce processeur pourrait faire ses débuts dans un modèle de Galaxy S, probablement le Galaxy S27, attendu en 2027.
Pour Samsung, la question reste de savoir s’il sera en mesure de surmonter ces défis et de positionner efficacement sa technologie 3 nm comme une alternative viable à celle de TSMC. Si les problèmes de rendement persistent, l’avenir du prochain SoC phare Exynos 2500 pourrait également être incertain, car un échec en 3 nm pourrait affecter les ambitions de la marque sur le marché des semi-conducteurs de pointe.
