Samsung Electronics a lancé la production en masse des puces mémoire DRAM à faible consommation d’énergie les plus fines du secteur, répondant ainsi à la demande croissante en intelligence artificielle (IA) embarquée.
Samsung a annoncé qu’elle produit des puces en classe 12 nanomètres (nm), avec des modules DRAM LPDDR5X de 12 gigaoctets (Go) et 16 Go. Ces dispositifs, aussi fins qu’un ongle, illustrent comment l’IA stimule la demande de nouvelles technologies électroniques.
Grâce à son expertise en emballage de puces, Samsung peut offrir des modules DRAM LPDDR5X ultra-fins, permettant de créer un espace supplémentaire dans les appareils mobiles, facilitant ainsi une meilleure circulation de l’air. Cela soutient un contrôle thermique plus facile, un facteur de plus en plus critique, surtout pour les applications à haute performance avec des fonctionnalités avancées comme l’IA embarquée.
« Les DRAM LPDDR5X de Samsung établissent une nouvelle norme pour les solutions d’IA embarquées haute performance, offrant non seulement des performances LPDDR supérieures mais aussi une gestion thermique avancée dans un boîtier ultra-compact », a déclaré YongCheol Bae, vice-président exécutif de la planification des produits mémoire chez Samsung Electronics. « Nous nous engageons à innover continuellement grâce à une collaboration étroite avec nos clients, en proposant des solutions qui répondent aux besoins futurs du marché des DRAM à faible consommation ».
La nouvelle DRAM LPDDR5X de Samsung ne se contente pas d’améliorer les performances et la gestion thermique. Elle représente également un pas significatif vers la miniaturisation continue des composants électroniques, essentielle pour répondre aux exigences des appareils mobiles modernes et des applications de plus en plus complexes.
Innovation et collaboration pour l’avenir de la DRAM à faible consommation
Avec les nouveaux modules DRAM LPDDR5X, Samsung propose la DRAM LPDDR de classe 12 nm la plus fine du secteur dans une structure à 4 couches, réduisant l’épaisseur d’environ 9 % et améliorant la résistance à la chaleur d’environ 21,2 % par rapport au produit de précédente génération.
La production en masse des puces mémoire LPDDR5X de Samsung a commencé. En optimisant les techniques de carte de circuit imprimé (PCB) et de composé de moulage époxy (EMC), le nouveau module DRAM LPDDR est aussi fin qu’un ongle à 0,65 millimètres (mm), le plus mince parmi les DRAM LPDDR existantes de 12 Go ou plus. Le processus de back-lapping optimisé de Samsung est également utilisé pour minimiser la hauteur du boîtier.
Samsung prévoit de continuer à élargir le marché de la DRAM à faible consommation en fournissant ses DRAM LPDDR5X de 0,65 mm aux fabricants de processeurs mobiles ainsi qu’aux fabricants de dispositifs mobiles. Alors que la demande pour des solutions mémoire mobiles haute performance et haute densité dans des formats plus petits continue de croître, l’entreprise prévoit de développer des modules à 6 couches de 24 Go et à 8 couches de 32 Go dans les boîtiers DRAM LPDDR les plus minces pour les appareils futurs.
Avec cette avancée technologique, Samsung démontre son leadership dans le domaine des semi-conducteurs et son engagement à répondre aux exigences croissantes des dispositifs mobiles modernes. L’innovation continue dans la DRAM à faible consommation ouvre de nouvelles possibilités pour des appareils plus performants et plus compacts, répondant ainsi aux besoins de l’IA embarquée et des applications haute performance de demain.
